據(jù)韓國媒體報道，為了滿足PC、智能手機市場對NAND閃存的持續(xù)高需求，Intel正在與中國紫光集團談判，授權(quán)其生產(chǎn)64層3D NAND閃存。這種閃存技術(shù)來自Intel、美光合資的IMFlash，不過到明年初，雙方將結(jié)束合作，各自獨立優(yōu)化自己的產(chǎn)品和服務(wù)，同時Intel會把所持股份幾乎全部賣給美光，從中脫身。

Intel當前使用和供應(yīng)的閃存都來自IMFlash，如果完全獨立勢必會大大影響產(chǎn)能和供應(yīng)量，而當前閃存市場需求又持續(xù)高位，Intel迫切需要一個新的伙伴。

而紫光是中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展中大力扶持的關(guān)鍵對象。未來五年，中國將在半導(dǎo)體行業(yè)投入1萬億元人民幣，目標是到2025年將自主產(chǎn)能提高到70％，紫光自然扮演著極為關(guān)鍵的角色。

目前，紫光已經(jīng)投資300億美元，在南京興建自己的內(nèi)存、閃存工廠，還與建興聯(lián)合在蘇州興建SSD開發(fā)制造工廠。如此一來，紫光能得到Intel的垂青，也毫不意外。目前還不清楚Intel、紫光授權(quán)的具體內(nèi)容，是單純的制造授權(quán)，還是更高級的技術(shù)授權(quán)。

如果是后者，紫光還能將Intel閃存用于自家產(chǎn)品，在自主閃存尚不完全成熟的情況下可以作為一個補充，但也希望自主閃存不要因此荒廢了自己，畢竟這種教訓(xùn)實在太多了。

無論如何，這對紫光來說都是一次極好的發(fā)展機遇，可以與當今世界上最先進的閃存技術(shù)零距離接觸，對增強自身技術(shù)實力有莫大好處。 另外，IMFlash還在開發(fā)新一代96層堆疊3D閃存，并輔以10nm級別制造工藝，容量密度將比現(xiàn)在的64層提高一倍，未來也有望落戶紫光。